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價格：電議
所在地：陜西 西安市
型號：長禾
更新時間：2024-05-08
瀏覽次數(shù)：1033
公司地址：西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)新商務公寓1號樓10310室
蒲經(jīng)理(先生) 經(jīng)理
功率器件要測哪些參數(shù)？IGBT要測那些參數(shù)？功率器件的靜態(tài)參數(shù)測試/功率器件的動態(tài)參數(shù)測試，歡迎聯(lián)系西安長禾半導體，我們是做深圳IGBT測試、深圳SiC測試、深圳間歇壽命測試、深圳老煉測試、HTGB測試、HTRB測試、HT3GB測試、深圳熱阻測試、RTH測試、靜態(tài)/動態(tài)參數(shù)測試、深圳DPA測試、失效分析。
隨著技術發(fā)展，第三代半導體功率器件開始由實驗室階段步入商業(yè)應用，未來應用潛力巨大。通常這些新型器件測試要求更高的電壓和功率水平，更快的開關時間。西安長禾半導體積極布局第三代半導體功率器件的測試業(yè)務，引進國際先進的測試技術，為功率半導體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件參數(shù)檢測服務，助力器件國產(chǎn)化、高新化發(fā)展。
測試標準：
覆蓋MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等標準；服務內(nèi)容包括：靜態(tài)參數(shù)，動態(tài)參數(shù)，熱特性，雪崩耐量，短路特性及絕緣耐壓測試；設備支持0-1500A，0-3000V的器件參數(shù)檢測。
產(chǎn)品范圍：
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊
測試項目：
靜態(tài)參數(shù) 符號
Drain to Source Breakdown Voltage BVDSS
Drain Leakage Current IDSS
Gate Leakage Current IGSS
Gate Threshold Voltage VGS(th)
Drain to Source On Resistance RDS(on)
Drain to Source On Voltage VDS(on)
Body Diode Forward Voltage VSD
Internal Gate Resistance Rg
Input capacitance Cies
Output capacitance Coes
Reverse transfer capacitance Cres
Transco
Gate to Source Plateau Voltage Vgs(pl)
動態(tài)參數(shù) 符號
Turn-on delay time td(on)
Rise time tr
Turn-off delay time td(off)
Fall time tf
Turn-on energy Eon
Turn-off energy Eoff
Diode reverse recovery time trr
Diode reverse recovery charge Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current dirr/dt
Total gate charge QG
Gate-Emitter charge QGC
Gate-Collector charge QGE
其他參數(shù) 符號
thermal resistance Rth
Unclamped Inductive Switching UIS
Reverse biased safe operating area RBSOA
Short circuit safe operation area SCSOA
免責聲明：以上所展示的[長禾 IGBT功率模塊/器件（靜動態(tài)參數(shù)測試）]信息由會員[西安長禾半導體技術有限公司]自行提供，內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。
