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企業(yè)認(rèn)證:
價(jià)格:電議
所在地:陜西 西安市
型號(hào):長(zhǎng)禾
更新時(shí)間:2024-05-08
瀏覽次數(shù):1174
公司地址:西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)新商務(wù)公寓1號(hào)樓10310室
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蒲經(jīng)理(先生) 經(jīng)理
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檢測(cè)項(xiàng)目 |
覆蓋產(chǎn)品 |
檢測(cè)能力 |
參考標(biāo)準(zhǔn) |
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直流參數(shù) |
MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品; |
檢測(cè)最大電壓:7500V 檢測(cè)最大電流:6000A |
國(guó)標(biāo),IEC |
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雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 |
檢測(cè)最大電壓:2500V 檢測(cè)最大電流:200A |
美軍標(biāo) |
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柵極電阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件 |
檢測(cè)阻抗:0.1Ω~50Ω |
JEDEC |
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開關(guān)時(shí)間 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件; |
檢測(cè)最大電壓:1200V 檢測(cè)最大電流:200A |
美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等 |
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開關(guān)時(shí)間 |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測(cè)最大電壓:2700V 檢測(cè)最大電流:4000A |
國(guó)標(biāo),IEC |
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反向恢復(fù) |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 |
檢測(cè)最大電壓:1200V 檢測(cè)最大電流:200A |
美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等 |
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反向恢復(fù) |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測(cè)最大電壓:2700V 檢測(cè)最大電流:4000A |
國(guó)標(biāo),IEC |
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柵極電荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 |
檢測(cè)最大電壓:1200V 檢測(cè)最大電流:200A |
美軍標(biāo),國(guó)標(biāo),IEC等 |
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