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失效分析漏電微光顯微鏡分析儀emmi電流異常定位

儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司

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企業(yè)認(rèn)證：

價(jià)格：電議

所在地：北京

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更新時(shí)間：2023-11-10

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公司地址：北京市中關(guān)村軟件園

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產(chǎn)品簡介

?失效分析漏電微光顯微鏡分析儀emmi電流異常定位漏點(diǎn)定位

公司簡介

IC失效分析 Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE

專業(yè)從事電子產(chǎn)品分析測試設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，以及國外**設(shè)備代理,探針臺probe 開封機(jī)decap 微光顯微鏡emmi 紅外顯微鏡 iv自動(dòng)曲線量測儀失效分析可靠性測試FIB,切割研磨機(jī)rie，電子顯微鏡sem等

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產(chǎn)品說明

失效分析漏電微光顯微鏡分析儀emmi電流異常定位漏點(diǎn)定位

主要用途

當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時(shí)，產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測器通過顯微鏡收集這些光子并地定位出其位置，通常這個(gè)位置就是存在異常的缺陷位置。

性能參數(shù)

a)InGaAs檢測器，分辨率：320*256 像素；

b)偵測波長范圍900nm - 1700nm

c)像素尺寸：30um x 30um

d)曝光時(shí)間 20ms - 400s

e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x

f)Back side EMMI

應(yīng)用范圍

1.P-N接面漏電

2.飽和區(qū)晶體管的熱電子

3.P-N接面崩潰

4.閂鎖效應(yīng)

5.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)

本頁產(chǎn)品地址：http://m.521uz.com/sell/show-7904062.html

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