長禾功率器件測試實驗室(簡稱長禾)

西安長禾半導體技術有限公司

會員指數：

企業認證：

價格：電議

所在地：陜西西安市

型號：長禾

更新時間：2024-05-08

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公司地址：西安市高新區錦業路69號創新商務公寓1號樓10310室

17792574070 蒲經理(先生) 經理

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產品簡介

西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。功率器件測試實驗室(簡稱長禾)

公司簡介

西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。長禾實驗室擁有尖端的系統設備、專業的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有的測試儀器設備100余臺套，專業測試人員20余名。我們緊跟國內標準，以客戶需求為導向，不斷創新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網絡，為合作伙伴提供優質高效的技術服務。長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態參數檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發電、科研單位、軍工院所、工業控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。長禾實驗室秉承創新務實的經營理念，為客戶提供優質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業企業、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實驗室做您忠誠的合作伙伴，共謀發展大計！

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產品說明

西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發區，是一家專業從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業，是國家CNAS 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。功率器件測試實驗室(簡稱長禾)

長禾實驗室擁有尖端的系統設備、專業的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有先進的測試儀器設備100余臺套，專業測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準，以客戶需求為導向，不斷創新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網絡，為合作伙伴提供優質高效的技術服務。功率器件測試實驗室(簡稱長禾)

長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態參數檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發電、科研單位、軍工院所、工業控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。

長禾實驗室秉承創新務實的經營理念，為客戶提供優質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業企業、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。

誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實驗室做您忠誠的合作伙伴，共謀發展大計！功率器件測試實驗室(簡稱長禾)

檢測項目	覆蓋產品		檢測能力			參考標準
功率循環試驗（PC）		IGBT模塊		ΔTj=100℃ 電壓電流最大1800A 12V	IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗（HTRB）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件		溫度最高150℃；電壓最高2000V	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗（HTGB）		MOSFET、SiC MOS等單管器件		溫度最高150℃；電壓最高2000V	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗（HTOL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件		溫度最高150℃ 電壓最高2000V	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗（LTOL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件		溫度最低-80℃ 電壓最高2000V	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫儲存試驗（HTSL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品		溫度最高150℃；	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫儲存試驗（LTSL）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品		溫度最低-80℃	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫高濕試驗（THB）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品		溫度最高180℃ 濕度范圍：10%~98%	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高低溫循環試驗（TC）		MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品		溫度范圍：-80℃~220℃	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
間歇壽命試驗（IOL）功率循環試驗（PC）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件		ΔTj≧100℃ 電壓電流最大48V，10A	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
穩態功率試驗（SSOL）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件		ΔTj≧100℃ 電壓電流最大48V，10A	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高加速應力試驗（HAST）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品		溫度130℃/110℃ 濕度85%	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
*無偏壓的高加速應力試驗（UHAST）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品		溫度130℃ 濕度85%	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫蒸煮試驗（PCT）		MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品		溫度121℃ 濕度100%	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
預處理試驗（Pre-con）		所有SMD類型器件		設備滿足各個等級的試驗要求	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
潮氣敏感度等級試驗（MSL）		所有SMD類型器件		設備滿足各個等級的試驗要求	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
*可焊性試驗（Solderability）		MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件		有鉛、無鉛均可進行	美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等