產品簡介:
ESS03是針對科研和工業環境中薄膜測量領域推出的波長掃描式多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。
ESS03采用寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學參數（如，折射率n、消光系數k、復介電常數ε等），也可用于測量塊狀材料的光學參數。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。
技術特點：
寬的光譜范圍
采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統光學設計，保證了儀器在寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求其嚴格的場合。
靈活的測量設置
儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），大地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
原子層量級的檢測靈敏度
的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。
非常經濟的技術方案
采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。
應用領域：
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。
ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體地臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級到10微米左右）。
ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等，典型應用如：
半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處
廊坊橢圓偏振光測厚儀 光譜式橢偏儀 以及常見的結構多種型號圖片
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| 型號:JX200090EX2自動橢圓偏振測厚儀 |
型號:JX200096EM13 LD系列多入射角激光橢偏儀 |
型號:JX200100ESS03 波長掃描式多入射角光譜橢偏儀 |
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廊坊橢圓偏振光測厚儀 光譜式橢偏儀 以及常見的結構
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【廊坊橢圓偏振光測厚儀 光譜式橢偏儀 以及常見的結構一共有★★30★★多種型號以上只顯示1-3種型號，如沒有合適您的產品請咨詢 邢臺秦星科技有限公司】
廊坊橢圓偏振光測厚儀 光譜式橢偏儀 以及常見的結構多種型號內容
型號:JX200090EX2自動橢圓偏振測厚儀
EX2自動橢圓偏振
測厚儀是基于消光法（或稱“零橢偏”）橢偏測量原理，針對納米薄膜厚度測量領域推出的一款自動測量型
教學儀器。
EX2儀器適用于納米薄膜的厚度測量，以及納米薄膜的厚度和折射率同時測量。
EX2儀器還可用于同時測
量塊狀材料（如，金屬、半導體、介質）的折射率n和消光系數k。
特點
經典消光法橢偏測量原理
儀器采用消光法橢偏測量原理，易于理解和掌握橢偏測量基本原理和過程。
方便安全的樣品水平放置方式
采用水平放置樣品的方式，方便樣品的取放。
緊湊的一體化結構
集成一體化設計，簡潔的儀器外形通過USB接口與計算機相連，方便使用。
高準確性的激光
光源
采用激光作為探測光波，測量波長準確度高。
豐富實用的樣品測量功能
可測量納米薄膜的膜厚和折射率；塊狀材料的復折射率、樣品反射率、樣品透過率。
便捷的自動化操作
儀器軟件可自動完成樣品測量，并可進行方便的測量數據分析、儀器校準等操作。
安全的用戶使用權限管理
軟件中設置了用戶使用權限（包括：管理員、等模式），便于儀器管理和使用。
可擴展的儀器功能
利用本儀器，可通過適當擴展，完成多項偏振測量實驗，如馬呂斯定律實驗、旋光測量實、旋光等。
應用
EX2適合于教學中單層納米薄膜的薄膜厚度測量，也可用于測
量塊狀材料的折射率n和消光系數k。
EX2可測量的樣品涉及微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽
電池、
光學薄膜、生命科學、化學、電化學、
磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等領域。
技術指標
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項目
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技術指標
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儀器型號
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EX2
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測量方式
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自動測量
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樣品放置方式
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水平放置
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光源
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He-Ne激光器，波長632.8nm
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膜厚測量重復性*
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0.5nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
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膜厚范圍
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透明薄膜：1-4000nm
吸收薄膜則與材料性質相關
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折射率范圍
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1.3 – 10
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探測光束直徑
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Φ2-3mm
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入射角度
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30°-90°，精度0.05°
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偏振器方位角讀數范圍
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0-360°
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偏振器步進角
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0.014°
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樣品方位調整
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Z軸高度調節：16mm
二維俯仰調節：±4°
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允許樣品尺寸
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樣品直徑可達Φ160mm
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配套軟件
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* 用戶權限設置
* 多種測量模式選擇
* 多個測量項目選擇
* 方便的數據分析、計算、輸入輸出
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外形尺寸
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約400*400*250mm
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儀器重量（凈重）
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約20Kg
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選配件
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* 半導體激光器
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注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。
性能保證
ISO9001質量體系下的儀器質量保證
專業的橢偏測量原理課程
專業的儀器使用培訓
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200090.html
EX2自動橢圓偏振測厚儀
型號:JX200096EM13 LD系列多入射角激光橢偏儀
EM13LD 系列是采用量拓科技的測量技術，針對普通精度需求的研發和質量控制領域推出的多入射角激光
橢偏儀。
EM13LD系列采用半導體
激光器作為
光源，可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k；也可用于同時測
量塊狀材料的折射率n和消光系數k；亦可用于實時測量納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的厚度測量。
EM13LD系列采用了量拓科技多項。
特點：
次納米的高靈敏度
的采樣方法、穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量薄納米薄膜，膜厚精度可達到0.5nm。
3秒的快速測量
水準的儀器設計，在保證精度和準確度的同時，可在3秒內快速完成一次測量，可對納米膜層生長過程進行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個
按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
應用：
EM13LD系列適合于普通精度要求的科研和工業環境中的新品研發或質量控制。
EM13LD系列可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k；可用于同時測
量塊狀材料的折射率n和消光系數k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
EM13LD可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽
電池、
光學薄膜、生命科學、化學、電化學、
磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。
技術指標:
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項目
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技術指標
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儀器型號
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EM13 LD/635 (或其它選定波長)
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激光波長
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635 nm (或其它選定波長，高穩定半導體激光器)
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膜厚測量重復性（1）
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0.5nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率測量重復性（1）
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5x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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單次測量時間
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與測量設置相關，典型3s
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的膜層范圍
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透明薄膜可達1000nm
吸收薄膜則與材料性質相關
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光學結構
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PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有高的準確度）
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激光光束直徑
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2mm
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入射角度
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40°-90°可手動調節，步進5°
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樣品方位調整
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Z軸高度調節：±6.5mm
二維俯仰調節：±4°
樣品對準：光學自準直和顯微對準系統
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樣品臺尺寸
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平面樣品直徑可達Φ170mm
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外形尺寸
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887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
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儀器重量（凈重）
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25Kg
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選配件
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水平XY軸調節平移臺，真空吸附泵
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軟件(ETEM)
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* 中英文界面可選
* 多個預設項目供快捷操作使用
* 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合
* 方便的數據顯示、編輯和輸出
* 豐富的模型和材料數據庫支持
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注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。
性能保證:
穩定性的半導體激光
光源、的采樣方法，保證了穩定性和準確度
的
光學自準直系統，保證了快速、的樣品方位對準
穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合的采樣技術，保證了快速、穩定測量
分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和厚度的測量
一體化集成式的儀器結構設計，使得系統操作簡單、整體穩定性提高，并節省空間
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫，方便用戶使用
可選
配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附
泵
VP02真空吸附
泵
樣品池
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200096.html
EM13 LD系列多入射角激光橢偏儀
型號:JX200100ESS03 波長掃描式多入射角光譜橢偏儀
ESS03是針對科研和工業環境中薄膜測量領域推出的波長掃描式多入射角
光譜橢偏儀，此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。
ESS03采用寬光譜
光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。
ESS03系列多入射角
光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和
光學參數（如，折射率n、消光系數k、復介電常數ε等），也可用于測
量塊狀材料的
光學參數。
ESS03系列多入射角
光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。
技術特點：
寬的光譜范圍
采用寬光譜
光源、寬光譜掃描德系統
光學設計，保證了儀器在寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求其嚴格的場合。
靈活的測量設置
儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），大地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。
原子層量級的檢測靈敏度
的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。
非常經濟的技術方案
采用較經濟的寬光譜
光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。
應用領域：
ESS03系列多入射角
光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。
ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體地臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級到10微米左右）。
ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽
電池、
光學薄膜、生命科學、化學、電化學、
磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等，典型應用如：
半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性
光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
節能環保領域：LOW-E玻璃等。
ESS03系列也可用于測
量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。典型應用包括：
玻璃新品研發和質量控制等。
技術指標：
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項目
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技術指標
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光譜范圍
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ESS03VI：370-1700nm
ESS03UI：245-1700nm
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光譜分辨率（nm）
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可設置
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40°-90°手動調節，步距5，重復性0.02
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準確度
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δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
（透射模式測空氣時）
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膜厚測量重復性（1）
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0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率n測量重復性（1）
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0.001 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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單次測量時間
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典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測量模式）
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光學結構
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PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有高的準確度）
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可測量樣品尺寸
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直徑200 mm
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樣品方位調整
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高度調節范圍：10mm
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二維俯仰調節：±4°
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樣品對準
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光學自準直顯微和望遠對準系統
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軟件
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•多語言界面切換
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•預設項目供快捷操作使用
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•安全的權限管理模式（管理員、操作員）
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•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫
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•豐富的模型數據庫
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選配件
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自動掃描樣品臺
聚焦透鏡
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注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200100.html
ESS03 波長掃描式多入射角光譜橢偏儀
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