產品簡介:
ETSys-Map-PV是針對高端薄膜太陽電池研發和質量控制領域中大面積樣品檢測專門設計的在線薄膜測量系統。
ETSys-Map-PV用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽電池樣品進行在線檢測。可測量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜,包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;并可同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。可測量樣品上區域的樣品參數以及樣品表面的均一性分布。
ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光橢偏儀及光伏在太陽能電池領域的技術和產品設計方面的經驗,性能。
特點:
大面積絨面樣品上全表面測量
可對大面積絨面薄膜太陽電池樣品上各點的性質進行分析和比較。的光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實現了對粗糙表面散射為主和低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。
微米量級的積掃描精度
的系統設計,能夠使探頭到達樣品上每個點,掃描精度達到微米量級。
原子層量級的膜厚分析精度
采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術,對納米薄膜達到高的測量準確度和靈敏度,膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。
簡單方便安全的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
應用:
ETSys-Map-PV適合于要求的薄膜太陽電池研發和質量控制。
ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽電池樣品上單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;
ETSys-Map-PV可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數k;
ETSys-Map-PV可應用于:
大面積薄膜太陽電池基底的材料測量
薄膜太陽電池玻璃基底上透明導電氧化物(TCO)鍍膜測量
技術指標:
項目
技術指標
徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務多種型號圖片
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| 型號:JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀 |
型號:JX200087ES01 快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀 |
型號:JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統 |
【溫馨提示】
本公司產品因產品種類繁多,詳細配置價格請致電咨詢!
[河北德科機械科技有限公司]——是集科研、開發、制造、經營于一體,的工程試驗儀器專業制造實體。公司主要經營砼混凝土儀器,水泥試驗儀器,砂漿試驗儀器,泥漿試驗儀器,土工試驗儀器,瀝青試驗儀器,公路集料儀器,防水材料儀器,公路巖石儀器,路面試驗儀器,壓力試驗機養護室儀器及實驗室耗材等上百種產品。
在以雄厚的技術底蘊在強化開發的同時,積采用外技術標準,尋求推進與大專院校,科研單位的協作互補,以實現新產品開發的高起點,在交通部、建設部及科研所們的指導下,產品不斷完善,不斷更新。已廣泛用于建材,建筑施工,道橋建設,水電工程和機械,交通、石油、化工等領域的質量檢測。并同外各試驗儀器廠建立了長期合作關系,嚴把質量關,價格更優惠!
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徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務
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【徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務一共有★★30★★多種型號以上只顯示1-3種型號,如沒有合適您的產品請咨詢 河北德科機械科技有限公司】
徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務多種型號內容
型號:JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀
EM12是采用量拓科技的測量技術,針對中端精度需求的研發和質量控制領域推出的精致型多入射角激光
橢偏儀。
EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;也可用于同時測
量塊狀材料的折射率n和消光系數k;亦可用于實時測量納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的厚度測量。
EM12采用了量拓科技多項。
特點:
次納米量級的高靈敏度
的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.2nm。
1.6秒的快速測量
水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在1.6秒內快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個
按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
應用:
EM12適合于中端精度要求的科研和工業環境中的新品研發或質量控制。
EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;可用于同時測
量塊狀材料的折射率n和消光系數k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
EM12可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽
電池、
光學薄膜、生命科學、化學、電化學、
磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。
技術指標:
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項目
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技術指標
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儀器型號
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EM12
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激光波長
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632.8nm (He-Ne Laser)
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膜厚測量重復性(1)
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0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率測量重復性(1)
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2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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單次測量時間
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與測量設置相關,典型1.6s
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的膜層范圍
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透明薄膜可達4000nm
吸收薄膜則與材料性質相關
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光學結構
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PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有高的準確度)
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激光光束直徑
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1-2mm
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入射角度
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40°-90°可手動調節,步進5°
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樣品方位調整
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Z軸高度調節:±6.5mm
二維俯仰調節:±4°
樣品對準:光學自準直和顯微對準系統
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樣品臺尺寸
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平面樣品直徑可達Φ170mm
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外形尺寸
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887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
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儀器重量(凈重)
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25Kg
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選配件
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水平XY軸調節平移臺
真空吸附泵
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軟件
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ETEM軟件:
l 中英文界面可選;
l 多個預設項目供快捷操作使用;
l 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合;
l 方便的數據顯示、編輯和輸出
l 豐富的模型和材料數據庫支持
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注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。
性能保證:
- 穩定性的He-Ne激光光源、的采樣方法,保證了高穩定性和高準確度
- 的光學自準直系統,保證了快速、的樣品方位對準
- 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合的采樣技術,保證了快速、穩定測量
- 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和厚度的測量
- 一體化集成式的儀器結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高,并節省空間
- 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用
- 可選配件:
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200098.html
EM12 精致型多入射角激光橢偏儀
型號:JX200087ES01 快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀
ES01是針對科研和工業環境中薄膜測量推出的全自動光譜橢偏儀,系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見到紅外。
ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,厚度)和物理參數(如,折射率n、消光系數k),也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。
ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進行實時和非實時檢測。
特點:
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原子層量級的檢測靈敏度
的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。
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秒級的快速測量
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,在保證和準確度的同時,10秒內快速完成一次全光譜橢偏測量。
-
一鍵式儀器操作
對于常規操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的操作需求。
應用:
ES01系列尤其適合于科研和工業產品環境中的新品研發。
ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如:
- ES01V適合于測量電介質材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。
- ES01U適合于很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體的臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。
ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應用如:
- 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二管GaN和AlGaN、透明的電子器件等);
- 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
- 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
- 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括:
技術指標:
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項目
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技術指標
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光譜范圍
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ES01V:370-1000nm
ES01U:245-1000nm
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光譜分辨率
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1.5nm
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單次測量時間
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典型10s,取決于測量模式
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準確度
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δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
(透射模式測空氣時)
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膜厚測量重復性(1)
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0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率精度(1)
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1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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入射角度
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40°-90°自動調節,重復性0.02°
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光學結構
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PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有高的準確度)
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樣品臺尺寸
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可放置樣品尺寸:直徑170 mm
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樣品方位調整
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高度調節范圍:0-10mm
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二維俯仰調節:±4°
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樣品對準
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光學自準直顯微和望遠對準系統
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軟件
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•多語言界面切換
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•預設項目供快捷操作使用
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•安全的權限管理模式(管理員、操作員)
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•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫
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•豐富的模型數據庫
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選配件
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自動掃描樣品臺
聚焦透鏡
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注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。
可選配件:
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NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
- NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
- VP01真空吸附泵
- VP02真空吸附泵
- 樣品池
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200087.html
ES01 快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀
型號:JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統
ETSys-Map-PV是針對高端薄膜太陽
電池研發和質量控制領域中大面積樣品檢測專門設計的在
線薄膜測量系統。
ETSys-Map-PV用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽
電池樣品進行在
線檢測。可測量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜,包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;并可同時測
量塊狀材料的折射率n和消光系數k。可測量樣品上區域的樣品參數以及樣品表面的均一性分布。
ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光
橢偏儀及光伏在太陽能
電池領域的技術和產品設計方面的經驗,性能。
特點:
大面積絨面樣品上全表面測量
可對大面積絨面薄膜太陽
電池樣品上各點的性質進行分析和比較。的光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實現了對粗糙表面散射為主和低反射率為特征的絨面太陽
電池表面鍍層的高靈敏檢測。
微米量級的積掃描精度
的系統設計,能夠使探頭到達樣品上每個點,掃描精度達到微米量級。
原子層量級的膜厚分析精度
采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術,對納米薄膜達到高的測量準確度和靈敏度,膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。
簡單方便安全的儀器操作
用戶只需一個
按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
應用:
ETSys-Map-PV適合于要求的薄膜太陽
電池研發和質量控制。
ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽
電池樣品上單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;
ETSys-Map-PV可用于測
量塊狀材料的折射率n及消光系數k;
ETSys-Map-PV可應用于:
大面積薄膜太陽
電池基底的材料測量
薄膜太陽
電池玻璃基底上透明導電氧化物(TCO)鍍膜測量
技術指標:
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項目
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技術指標
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系統型號
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ETSys-Map-PV
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結構類型
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在線式
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激光波長
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632.8nm (He-Ne laser)
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膜厚測量重復性(1)
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0.05nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率n精度(1)
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5x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
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結構
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PSCA
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激光光束直徑
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~1 mm
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入射角度
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60°-75°可選
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樣品放置
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放置方式:水平
運動:X軸單方向運動
運動范圍:>1.4m
三維平移調節
二維俯仰調節
可對樣品進行掃描測量
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樣品臺尺寸
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1.4m*1.1m,并可定制。
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測量速度
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典型0.6s-4s /點(取決于樣品種類及測量設置)
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的膜層厚度測量范圍
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光滑平面樣品:透明薄膜可達4000nm,吸收薄膜與材料性質相關
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選配件
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樣品監視系統
自動樣品上片系統
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注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。
性能保證
高穩定性的He-Ne激光
光源、的采樣方法以及低噪聲探測技術,保證了系統的高穩定性和高準確度
穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合的采樣技術,保證了快速、穩定測量
一體化集成式的結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用
可選
配件:
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200092.html
ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統
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