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價(jià)格：電議
所在地：陜西 西安市
型號(hào)：
更新時(shí)間：2022-09-27
瀏覽次數(shù)：2266
公司地址：西安市高陵區(qū)融豪工業(yè)城V5
李想(女士) 經(jīng)理
IGBT功率循環(huán)熱循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)
IGBT功率循環(huán)熱循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)條件
1 加熱電流：直流50-500A 顯示精度0.1 A±3%；
2 加熱時(shí)間：20-60S，冷卻時(shí)間：20-60S；
3 散熱要求：1分鐘內(nèi)完成器件加熱到結(jié)溫降溫到40℃的一個(gè)循環(huán)；
4 熱敏測(cè)試單元：
熱敏電流：50mA-999 mA 分辨率0.1 mA精度±3%；1A-10A分辨率0.1A精度0.1A±3%；
熱敏電壓：1V-10V分辨率1mV精度±2%
5 熱阻單元
功率計(jì)算：飽和壓降 0.3-5V分辨率0.01V精度±2%
導(dǎo)通電流分辨率0.1 A精度±3%
溫度采集：溫度采集單元分辨率0.1℃精度±0.1℃
熱阻測(cè)試器件的數(shù)量為1只。
ce，Ic，熱敏電壓，殼溫各采一路。
6循環(huán)次數(shù)：1—20000次
7按時(shí)間控制時(shí)，顯示每只器件的殼溫，采集殼溫的位置依據(jù)被側(cè)器件的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，需方將測(cè)溫孔備好。
8按結(jié)溫控制時(shí)，顯示一只器件的結(jié)溫，6只器件殼溫。
9被測(cè)器件：6只（二單元串聯(lián)結(jié)構(gòu)）或1只6單元IGBT橋模塊，IGBT橋模塊按三組循環(huán)加熱、占空比30%的工作方式進(jìn)行設(shè)計(jì)和試驗(yàn)；
10計(jì)算機(jī)顯示器件殼溫、試驗(yàn)電流、試驗(yàn)次數(shù)、并可記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，測(cè)試記錄表格可轉(zhuǎn)為EXCEL文件。
11在脫機(jī)狀態(tài)時(shí)，面板顯示6個(gè)工位的殼溫，試驗(yàn)電流、試驗(yàn)次數(shù)、加熱時(shí)間、冷卻時(shí)間。
12水路的回水采用開(kāi)放式輸出，冷卻水路由甲方提供。
13電源：采用全波整流的直流電源，電流大小通過(guò)調(diào)壓器手動(dòng)調(diào)節(jié)。
13.1被測(cè)器件為二單元串聯(lián)結(jié)構(gòu)時(shí)，采用6只器件串聯(lián)試驗(yàn)；
13.2 被測(cè)器件為六單元全橋模塊時(shí)，負(fù)載為一只模塊。
13.3 電源共一組，輸出電流50-500A。
14可測(cè)試器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth（J-C）
15被測(cè)器件底板不帶電。
16設(shè)備采用水冷散熱，冷卻水由需方提供。
IGBT功率循環(huán)熱循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：
熱敏電壓測(cè)試：V f
主電流測(cè)試：Ic
集電電壓測(cè)試：VCE
閾值電壓測(cè)試：VGE（th）
溫度參數(shù)測(cè)試：T1、T2
穩(wěn)態(tài)電阻測(cè)試：Rth
瞬態(tài)電阻測(cè)試：Zth
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