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價(jià)格:電議
所在地:陜西 西安市
型號(hào):EN-ZXSM
更新時(shí)間:2022-09-27
瀏覽次數(shù):1188
公司地址:西安市高陵區(qū)融豪工業(yè)城V5
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李想(女士) 經(jīng)理
廠家直供正向壽命試驗(yàn)臺(tái)
系統(tǒng)概述
緣柵雙型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)作為功率開關(guān)器件,具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點(diǎn),
但是由于其長期工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運(yùn)行環(huán)境復(fù)雜,IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動(dòng)容易造成器件疲勞老化。目前外溫度循環(huán)引起的器件失效機(jī)理已進(jìn)行了深入研究,在此基礎(chǔ)上正積發(fā)展功率模塊壽命預(yù)測技術(shù)以提高變流器運(yùn)行可靠性。
技術(shù)指標(biāo)
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測試參數(shù) VF |
0.01~20V 0.01~10V±3%±0.01V 10~20V±3%±0.1V |
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測試條件 |
正向電流:1mA~60A 直流方波 |
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脈寬 |
50uS-1mS |
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工位 |
20只 |
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測試方法 |
器件在特定溫度下存儲(chǔ)一定時(shí)間后,在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對(duì)被試器件依次進(jìn)行測試,測試間 隔時(shí)間約100mS |
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