| 提交詢價(jià)信息 |
| 發(fā)布緊急求購(gòu) |
企業(yè)認(rèn)證：
價(jià)格：電議
所在地：廣東 東莞市
型號(hào)：CS3000
更新時(shí)間：2012-05-14
瀏覽次數(shù)：1466
公司地址：中國(guó) 廣東 東莞市 東莞市南城區(qū)簪花路華凱活力中心408室
陳從英(女士)
東莞市力高大同自動(dòng)化設(shè)備有限公司是國(guó)內(nèi)企業(yè)儀器儀表自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備及電源老化產(chǎn)品供應(yīng)服務(wù)商，公司客戶涵蓋制造、科研、教育、電力、能源、通信、環(huán)保等眾多領(lǐng)域。
力高大同具有高效的供應(yīng)服務(wù)體系，并擁有一支專業(yè)高素質(zhì)的服務(wù)團(tuán)隊(duì)。力高大同的服務(wù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：
（1）專業(yè)的產(chǎn)品選型與測(cè)試解決方案服務(wù)
（2）批量或配套產(chǎn)品集中訂購(gòu)配套服務(wù)
（3）免費(fèi)用戶樣品測(cè)試服務(wù)
（4）常用儀器應(yīng)急庫(kù)存
（5）儀器設(shè)備維修服務(wù)，免收檢查運(yùn)輸費(fèi)用。
（6）多幣種結(jié)算方式
（7）特種產(chǎn)品訂制服務(wù)（如老化實(shí)驗(yàn)設(shè)備）
目前，力高大同在深圳、上海、廣州、蘇州、廈門、南京、武漢、北京、香港等國(guó)內(nèi)電子工業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)設(shè)立了服務(wù)與合作機(jī)構(gòu)，并通過(guò)力高大同在全國(guó)各地的經(jīng)銷網(wǎng)絡(luò)，為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的本地化服務(wù)。
力高大同一貫秉承“專業(yè)、規(guī)范、誠(chéng)信”的宗旨，并在實(shí)踐中不斷提升公司的服務(wù)能力和水平，為客戶提供專業(yè)、高效、全面、經(jīng)濟(jì)的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)服務(wù)。
| 類型 | 電參數(shù)測(cè)量?jī)x | 品牌 | IWATSU |
| 型號(hào) | CS3000 | 測(cè)量范圍 | 3000V |
| 功率 | 10（KW） | 重量 | 45（kg） |
| 尺寸 | 424*555*354（mm） | 電源 | 100-240 |
聯(lián)絡(luò) 前言 由于IGBT在功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)日趨重要，使用新的測(cè)試方法來(lái)測(cè)試產(chǎn)品特性及生產(chǎn)是必須的。在此介紹的模組化測(cè)試系統(tǒng)是瞄準(zhǔn)功率電晶體的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)量測(cè)，討論的是IGBT設(shè)計(jì)者或是此類設(shè)備采購(gòu)者關(guān)切的需求。先列出IGBT測(cè)試所須的線路圖并定義所有的參數(shù)，后再就控制系統(tǒng)的選擇舉一實(shí)例來(lái)說(shuō)明該系統(tǒng)的基本架構(gòu)。 IGBT測(cè)試系統(tǒng)需求 近年來(lái)，電子工業(yè)不斷發(fā)展功率元件及系統(tǒng)，而電力電子工業(yè)中使用IGBT裝置的數(shù)量也急速增加。由半導(dǎo)體至電力產(chǎn)品之制造廠皆希望在這些產(chǎn)品中改善成較好的效率及降低所有工業(yè)制程步驟的成本，從產(chǎn)品的研發(fā)至后產(chǎn)品品質(zhì)的控制過(guò)程皆必須被完善控制。對(duì)這些所有的步驟，測(cè)試相對(duì)地變的非常重要，且必需準(zhǔn)確及可靠。對(duì)在生產(chǎn)過(guò)程而言， 測(cè)試設(shè)備須具備多樣的特點(diǎn)來(lái)配合不同的測(cè)試需求。研發(fā)工程師需要知道其特性便于其設(shè)計(jì)，生產(chǎn)的人員須要快速且容易使用的工具，可控制他們的生產(chǎn)制程，品質(zhì)管制人員則需要檢查他們所組合的產(chǎn)品的特性及收集他們的結(jié)果來(lái)做統(tǒng)計(jì)分析。 (一)多用途性(Versatility) 現(xiàn)代的測(cè)試設(shè)備所須的功能，必須能不被限制其zui大電流及電壓之供給。目前IGBT的產(chǎn)品其電流可通過(guò)1200A及阻斷電壓可高達(dá)3300V，但不久之后IGBT的產(chǎn)品即會(huì)有達(dá)到4500V及2000A的能力。且無(wú)人可預(yù)測(cè)未來(lái)其電壓及電流可達(dá)到多少，再者，現(xiàn)今IGBT 的測(cè)試設(shè)備，也須能測(cè)試新元件MCTS ( MOS Contrlled Thyristort) 或是IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)。 因此，測(cè)試設(shè)備的評(píng)估上，須能適應(yīng)及符合未來(lái)可能的發(fā)展，其不論是硬體，如電壓電流產(chǎn)生器或軟體上。 IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了的解決方案 (二)操作簡(jiǎn)單(Ease of Handling) 測(cè)試設(shè)備除了上述之特色外，應(yīng)仍保持操作簡(jiǎn)單及效率佳的能力。達(dá)此目的之方法即是使用者不須具備特殊訓(xùn)練即可操作此設(shè)備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來(lái)會(huì)更加方便。此測(cè)試系統(tǒng)亦可經(jīng)常地改變測(cè)試的半導(dǎo)體元件的型式(通常一天數(shù)次)，對(duì)新的半導(dǎo)體元作的型式其可能會(huì)須要不同的制具(jig)，或是更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)閘控制，或是一緩沖器 (Sunbber) 的保護(hù)等。因此，使用模組化系 統(tǒng)即可達(dá)到上述之需求。在一個(gè)基本的測(cè)試系統(tǒng)上，加上一些可更換的測(cè)試單元，使其可執(zhí)行不同范圍產(chǎn)品的量測(cè)。 (三)安全性(Safety) IGBT的測(cè)試系統(tǒng)因其可提供非常高的電壓輸出，對(duì)操作者來(lái)講是有一 潛在的危險(xiǎn)性，當(dāng)在操作高電壓及大電流時(shí)，操作員的安全性應(yīng)予以考慮，即該設(shè)備須在不同的規(guī)范中皆可符合其安全標(biāo)準(zhǔn)。 在執(zhí)行測(cè)試時(shí)，在危險(xiǎn)的區(qū)域應(yīng)使用滑動(dòng)式門鎖定而予以保護(hù)，所有參數(shù)皆應(yīng)設(shè)置于安全的工作區(qū)域中，所有的保護(hù)措施的控制皆應(yīng)由硬體部份來(lái)控制，而不是軟體來(lái)控制。很顯然的，在整條生產(chǎn)線上（研發(fā)測(cè)試時(shí)），時(shí)間是一個(gè)很重要的因素，因此，安全系統(tǒng)必須要很方便，而盡可能地對(duì)測(cè)試的速度影響愈小愈好。 靜態(tài)測(cè)試(Static tests) 此測(cè)試之目的在提供元件(device)的詳細(xì)特性，讓設(shè)計(jì)者能地預(yù)測(cè)元件在穩(wěn)態(tài)(Steady state)情況時(shí)之行為，此可協(xié)助使用者選擇的元件來(lái)用于他的應(yīng)用中，更進(jìn)一步地讓其對(duì)與半導(dǎo)體元件相連接的設(shè)備如：電壓鉗式單元，閘驅(qū)動(dòng)，冷卻系統(tǒng)等的設(shè)計(jì)更為妥切。 (一)集射崩潰電壓 (Collector Emitter Breakdown Voltage) VCEs (二)集至射的泄漏電流IcEs ［或稱為集的截止(Cut-off )電流］ 在額定的集射電壓和閘射短路下之集電流為IcEs值(如圖2), IcEs的量測(cè)通常在25℃及zui大的工作介面(Junction)溫度，且集泄漏電流 亦會(huì)隨介面溫度升高而增加。因此，在測(cè)試期間限制電流流過(guò)及避免 thermal升高是很重要的。 (三)集至射的飽和電壓 (Collector to emitter saturation voltage) VcEsat (四)二體順向電壓(Diode Forward Voltage) VF VF(圖4)是指IGBT模組中的飛輪二體(Freewheeling Diode)在特定電流 及介面溫度時(shí)之順向?qū)妷褐怠?/p> (五)閘臨界電壓(Gate threshold Voltage) VGeth (六 )跨導(dǎo)(Transconductance) gfs 跨導(dǎo)(gfs)(圖6)是于特定集電流時(shí)，集電流和閘射電壓之商數(shù) 。 跨導(dǎo)是用來(lái)表示IGBT增益的方式。由于跨導(dǎo)的量測(cè)是在清楚嚴(yán)格的特定條件下所做的兩個(gè)量測(cè)之值，因此，測(cè)試設(shè)備的性對(duì)測(cè)試結(jié)果有很大的影向力。 第二種方法是調(diào)整閘射電壓至特定的集射電壓(VP)并思考下列式子： △ VGE = △Vp IGBT的順向跨導(dǎo)是會(huì)隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘電壓時(shí)，增加集電流時(shí)，因電流Thermal run-away而會(huì)使晶片溫度升高，因此IGBT 并不被建議來(lái)當(dāng)做一個(gè)線性放大器使用。 (七)閘電荷(QGE, QcG, QG)及閘電容(Cies, Coes, Cres) QGE(圖7)是由驅(qū)動(dòng)電路傳送。使用閘射電壓達(dá)可維持特定集電流之電荷值。 QCE是由驅(qū)動(dòng)電路傳送。允許跨于閘電容的電壓，由特定之值降至后導(dǎo)通值之電荷值。 QG是閘總電荷值，是QGe是QcG及另一附加之成份之總和，此附加之值和閘＂Overdrive＂電壓有關(guān)由于有一些未知的雜散(stray) 電容存在電路中，所以校正脈沖是必須的。在每一測(cè)試前都會(huì)先測(cè)試雜散(Stray)電容，并用該值來(lái)修正閘電荷/電容之值。此雜散電容會(huì)依接線及氣候溫度等條件而變化。 閘電荷及電容之規(guī)格在規(guī)劃閘驅(qū)動(dòng)電路及決定閘驅(qū)動(dòng)損失時(shí)是非常有用的。 (八)閘至射之泄漏電流IGEs IGEs(圖8)是指在特定的閘射電壓及集短路至射時(shí)閘之泄漏電流 。此測(cè)試可能可以知道正或負(fù)的閘射電壓。所量測(cè)的電流是相當(dāng)小的，因此，脈沖至少須維持一個(gè)電源周期的積分時(shí)間，避免因閘電容吸收的電流所產(chǎn)生之誤差。此量測(cè)必須在閘電壓穩(wěn)定后才可進(jìn)行。 |
免責(zé)聲明：以上所展示的[CS3000 銷售、維修IWATSU巖崎RGBT測(cè)試系統(tǒng)CS3000]信息由會(huì)員[東莞市力高大同自動(dòng)化設(shè)備有限公司]自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。