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價格:電議
所在地:湖北 武漢市
型號:普賽斯儀表
更新時間:2024-09-18
瀏覽次數:992
公司地址:東湖開發區光谷大道308號光谷動力綠色環保產業園8棟2樓
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陶女士(女士)
武漢普賽斯儀表自主研發的臺式數字源表、插卡式源表、窄脈沖電流源、VCSEL測試系統等,填補國產空白。主要應用于半導體器件的測試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構建自定解決方案。為半導體封測廠家提供相關測試儀表、測試平臺,以及相關技術服務,滿足行業對測試效率、測試精度,以及低成本的挑戰。
武漢普賽斯將以服務客戶為中心,追求可持續發展,精益求精,堅持不懈,努力將自身打造成行業標桿。
普賽斯儀表www.whpssins.com
武漢普賽斯電子技術有限公司是一家高科技企業,專業研究和開發光通信器件產線監測和測試方案和自動化測試設備。產品覆蓋CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收發模塊、BOB等生產線。客戶包括:華為、海思、中興、光迅、海信、正源光子、旭創等,公司旨在為光電器件生產企業提供服務,針對產線生產的痛點問題,模擬現實應用環境,進行半導體光器件性能指標生產監測和測試,實現產品生產過程實時可監控、可追溯。具有綜合性、完備性、穩定性、半自動化或自動化等特點,從而提高用戶產線產品的生產效率、可靠性、穩定性、一致性。
概述
電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數,尤其是MOS CAP和MOSFET結構。MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加電壓的函數,MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性),C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數。
MOS電容CV特性測試實驗平臺
普賽斯半導體功率器件C-V測試系統主要由源表、LCR 表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負責提供可調直流電壓偏置,通過矩陣開關加載在待測件上。
進行C-V 測量時,通常在電容兩端施加直流偏壓,同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz 到1MHz 之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描,掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流,從而計算出不同電壓下的電容值。
系統優勢
頻率范圍寬:頻率范圍10Hz~1MHz連續頻率點可調;
高精度、大動態范圍:提供0V~3500V偏壓范圍,精度0.1%;
內置CV測試:內置自動化CV測試軟件,包含C-V(電容- 電壓),C-T(電容- 時間),C-F(電容 - 頻率)等多項測試測試功能;
兼容IV測試:同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試;
實時曲線繪制:軟件界面直觀展示項目測試數據及曲線,便于監控;
擴展性強:系統采用模塊化設計,可根據需求靈活搭配;
基本參數
典型配置
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