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半導體管特性圖示儀 型號:HAD-T2B 可根據需要測量半導體MOS管,二極管、三極管,可控管等的低頻直流參數,最大集電極電流可達50A,...
半導體管特性圖示儀 型號:HAD-T2B
* HAD-T2B半導體管特性圖示儀 可根據需要測量半導體MOS管,二極管、三極管,可控管等的低頻直流參數,最大集電極電流可達50A,
基本滿足功率500W以下的半導體管的測試。
* 本儀器還附有高壓的測試裝置,可對5000V以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試,
其測試電流最高靈敏度達到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基極階梯信號還具有脈沖階梯輸出,因此可擴大測量范圍及對二次擊穿特性的測量。
* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB), -6V~+6V連續可調。特別適宜大功率VMOS管測試。
1. 半導體管特性圖示儀 集電極電流偏轉系數
a) 集電極電流范圍(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔誤差不大于3%。
b) 二極管電流范圍(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔誤差不大于3%。
c) 集電極電流及二極管電流倍率×0.5,誤差不大于10%。
d) 基極電流或基極源電壓0.1V/度,誤差不大于3%。
2. 集電極電壓偏轉系數
a) 集電極電壓范圍(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔誤差不大于3%。
b) 二極管電壓范圍(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔誤差不大于10%。
c) 基極電壓范圍(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔誤差不大于3%。
d) 基極電流或基極源電壓::0.05V/度,誤差不大于3%。
3. 基極階梯信號
a) 階梯電流范圍(IB): 1uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔誤差不大于5%。
b) 階梯電壓范圍(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔誤差不大于5%。
c) 串聯電阻:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔誤差不大于10%。
d) 階梯波形:分正常(100%)及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調節范圍為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,連續可調。
f) 階梯偏置電壓(△VB):-6V~+6V,連續可調。
g) 階梯作用:分重復、關、單次三檔級。
h) 階梯輸入:分正常、零電流、零電壓三檔級。
i) 階梯極性:分正、負二檔。
4. 集電極掃描電壓
a) 輸出電壓與檔級: 0~10V 正或負連續可調
0~50V 正或負連續可調
0~50V 正或負連續可調
0~100V 正或負連續可調
0~500V 正或負連續可調
b) 輸出電流容量: 0~10V 50A(脈沖階梯工作狀態時)
0~10V 20A(平均值)
0~50V 10A(平均值)
0~100V 5A (平均值)
0~500V 0.5A(平均值)
c) 功耗限制電阻: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔誤差不大于10%。
d) 整流方式: 全波
e) 輸出極性: +,-
f) 集電極容性電流; 平衡后不超過2uA(10V檔)
g) 集電極漏電流; 平衡后不超過2uA(10V檔)
5. 二極管測試裝置
a) 輸出電壓: 0~5000V 正向連續可調
b) 輸出電流容量: 最大為5mA
c) 整流方式: 半波
6. 半導體管特性圖示儀 其他
a) 適配器 (測直插式元器件)
高壓測試座、三極管測試座、 3根測試線
b) 重量 約30kg。
c) 外形尺寸
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 功耗: 非測試狀態時: 約80VA;
最大功率時: 約300VA。
e) 輸入電壓: 220V±10%;
f) 頻率: 50HZ±5%。
g) 示波管: 有效工作面8×10cm。
h) 電磁兼容性
傳導干擾應符合GB/T 6833.9中第1章的要求。
輻射干擾應符合GB/T 6833.10中第1章的要求。
環境應符合GB/T 6587.1中Ⅱ級儀器的規定,運輸試驗按2級。
I) 測貼片元器件可選購測試夾具
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