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單晶P/N型號測試儀的使用范圍
發布時間：2017-05-03瀏覽次數：1358返回列表
NXTM-2B單晶P/N型號測試儀簡介：
儀器運用了第四代集成電路設計、生產。儀器采用熱電法測量硅單晶型號，配置了可自動恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發顯示N、P型。對于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊以準確地鑒定出導電型號。
單晶P/N型號測試儀適用范圍：
適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅。
適用于西門子法、硅烷法等生產多晶硅料的企業。
適用于物理提純生產多晶硅料生產企業。
適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業。
適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業。
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度提高。
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能。
特的設計能消除測量引線和接觸電阻產生的誤差， 測量的和寬的量程范圍。
雙數字表結構使測量，操作簡便。
具有的測試數據查詢及打印功能。
測量系統可實現自動換向測量、求平均值、大值、小值、平均百分變化率等。
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性提高。
采用進口元器件，留有大的安系數，提高了測試儀的性和使用壽命。
測量電流采用高度穩定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響。
具有正測反測的功能，測試結果的準確性。
具有抗強磁場和抗高頻設備的性能。
單晶P/N型號測試儀產品特點：
儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度提高
測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能
特的設計能消除測量引線和接觸電阻產生的誤差， 測量的和寬的量程范圍
雙數字表結構使測量，操作簡便
具有的測試數據查詢及打印功能
測量系統可實現自動換向測量、求平均值、大值、小值、平均百分變化率等
四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性提高
采用進口元器件，留有大的安系數，提高了測試儀的性和使用壽命
測量電流采用高度穩定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響
具有正測反測的功能，測試結果的準確性
具有抗強磁場和抗高頻設備的性能
單晶P/N型號測試儀參數：
測量范圍
鍺：近本征鍺≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm
顯示方式： 液晶直顯
功 耗：30W
供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz.
使用環境：溫度：23±2℃ 相對溫度：≤65%
