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二探針單晶硅及多晶硅測試儀 型號：DP-GL-1 用途日期：2017-02-14 點擊：62 返回列表  二探針單晶硅及多晶硅測試儀 型號：DP-GL-1
本儀器主要用于測量大直徑的單晶硅和多晶硅的電阻率分布情況，以便硅材料的切割和加工。 為適應(yīng)大規(guī)模集成電路的迅猛發(fā)展，特別是計算機芯片、內(nèi)存的發(fā)展，越來越多的使用到了大直徑、高純 |
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二探針單晶硅及多晶硅測試儀 型號：DP-GL-1
本儀器主要用于測量大直徑的單晶硅和多晶硅的電阻率分布情況，以便硅材料的切割和加工。
為適應(yīng)大規(guī)模集成電路的迅猛發(fā)展，特別是計算機芯片、內(nèi)存的發(fā)展，越來越多的使用到了大直徑、高純度、均勻度更高的單晶硅材料。目前，在美國、德國等的工業(yè)，均采用了二探針法，使用二探針檢測儀來測量大直徑單晶硅的電阻率分布情況。
儀器符合美國ASTM 《“F391-77”關(guān)于二探針測量硅單晶試驗方法》的標準，是一種的半導(dǎo)體電阻率測試儀，適合半導(dǎo)體材料廠和器件廠用于二探針法測量單晶硅和多晶硅半導(dǎo)體棒狀材料的體電阻率，從而進一步判斷半導(dǎo)體材料的性能，指導(dǎo)和監(jiān)視工藝操作，也可以用來測量金屬材料的電阻，儀器具有測量精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便、造型美觀等特點。也可以配四探針測試頭作常規(guī)的四探針法測量硅晶體材料。
儀器分為儀表電氣控制箱、測試臺、探頭三部分，儀表電氣控制箱由高靈敏度直流數(shù)字電壓表、高抗干擾高隔離性能的電源變換裝置、高穩(wěn)定恒流源和電氣控制部分組成。測量結(jié)果由大型LED數(shù)字顯示，零位穩(wěn)定、輸入阻抗高，并設(shè)有自校功能。在棒狀材料使用二探針法測試時，具有系數(shù)修正功能，從面板輸入相應(yīng)的修正系數(shù)，可以直接讀出電阻率，使用方便。測試臺結(jié)構(gòu)新穎，造型美觀，可以方便地固定好大小任意尺寸的樣品，并可以作逐點選擇步進測量，也可以自由選擇固定位置測量，電活動自如，具備鎖定裝置，方便重復(fù)測量。另外還配置了二處記錄板和轉(zhuǎn)椅，測試探頭能自動升降，探針為碳化鎢材料，配置寶石軸承，具有測量精度高、游移率小、耐磨、使用壽命長特點。同時探頭壓力恒定并且可調(diào)整，以適合不同的材料。
儀器主要技術(shù)指標：
1.可測硅材料尺寸：
直徑Φ25~Φ150mm滿足ASTM F-397的技術(shù)要求。
長度：100~1100mm.
2.測量方式：軸向測量，每隔10mm測量一點。
3.測量電阻率范圍：10-3~103Ω-cm,可擴展到105Ω-cm。
4.數(shù)字電壓表：
（1）量 程：0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V
（2）測量誤差：±0.3%讀數(shù)±2字
（3）輸入阻抗：0.2mV和2mV檔>106Ω
20mV檔及以上>108Ω
（4）顯 示：31/2位LED數(shù)字顯示，范圍0~1999。
5.恒流源：
（1）電流輸出：直流電流0~100mA連續(xù)可調(diào)。
（2）量 程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA
（3）電流誤差：±0.3%讀數(shù)±2字
6.二探針測試裝置：
（1）探針間距：4.77mm
（2）探針機械游移率：0.3%
（3）探針壓力：0~2kg可調(diào)
（4）測試探頭自動升降
7.二探針測試臺
（1）測試硅單長度：100-1100mm
（2）測試點間距：10mm
（3）測試臺有慢、快二種移動速度，快速移動速度為1000mm/分（均勻
手動）
8.電源：交流220V±10%，50HZ±2HZ，消耗功率<150W
