xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀

產品簡介
xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀 晶體在外加電場的作用下,其折射率將發生變化,當光波通過此介質時,其傳輸特性就會受到影響,光學參數發生相應改變,這種現象稱為電光效應。...
產品詳細介紹
北京百思佳特公司 劉靜
銷售熱線 br /> xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀
晶體在外加電場的作用下,其折射率將發生變化,當光波通過此介質時,其傳輸特性就會受到影響,光學參數發生相應改變,這種現象稱為電光效應。
采用半導體激光器作為光源(650nm4mW)。
晶體的通光面積為5×5mm2
zui大驅動電壓Vmax≥1600V使現象更加清晰、完整。
xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀 可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。
1875年克爾(kerr)發現了一個電光效應。即某些各向同性的透明介質在外電場作用下變為各向異性,表現出雙折射現象,介質具有單軸晶體的特性,并且其光軸在電場的方向上,人們稱這種光電效應為克爾效應。
1893年普克爾斯(pokells)發現,有些晶體,特別是壓電晶體,在加了外電場后,也能改變它們的各向異性性質,人們稱此種電光效應為泡克爾斯效應。泡克爾斯與克爾效應效應的區別在于:泡克爾斯效應是單軸晶體經強電場作用變成雙軸晶體,克爾效應是各向同性的物質經強電場作用變成各向異性的單軸晶體。
電光效應在工程技術和科學研究中有許多重要應用,它有很短的響應時間(可以跟上頻率為1010Hz的電場變化),因此被廣泛用于高速攝影中的快門,光速測量中的光束斬波器等。由于激光的出現,電光效應的應用和研究得到了迅速發展,如激光通信、激光測量、激光數據處理等。
晶體的電光效應
觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形,比較不同電壓條件下的差異,理解單軸晶體與雙軸晶體的區別。
xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀 觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態,理解泡克耳斯效應的作用機理。
測量半波電壓,確定Δn與E的線性關系,繪出光的調制曲線。
用正弦電信號對晶體進行調制,實現電信號的光傳輸,理解工作點對調制、傳輸過程的影響。
外加音頻信號,實驗音頻信號的光傳輸以重現,了解光通訊中信號外調制的原理和方法。
光學實驗導軌:800mm。
實驗主機zui大驅動電壓:Vmax≥1600V
半導體激光器:650nm, 4mW。
LN晶體附件:三維可調,通光面積:5*5mm2。
二維可調光電二管探頭:調整范圍:±2.5mm.
二維可調擴束鏡:25倍,調制范圍:±2.5mm.
激光功率指示計:三位半數字表頭,量程:200μW, 2mW, 20mW, 200mW,可調檔。zui小分辨率0.1u W。

北京百思佳特公司主營行業:儀器儀表/實驗設備/礦用設備/石油產品/教學儀器/醫療器械
如果您覺得“xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀”描述資料不夠齊全,請聯系我們獲取詳細資料。(聯系時請告訴我從給覽網看到的,我們將給您最大優惠!)
本頁鏈接:http://m.521uz.com/com_baisijiate/sell/itemid-7318178.html
已經有889位訪客查看了本頁.
銷售熱線 br /> xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀
晶體在外加電場的作用下,其折射率將發生變化,當光波通過此介質時,其傳輸特性就會受到影響,光學參數發生相應改變,這種現象稱為電光效應。
采用半導體激光器作為光源(650nm4mW)。
晶體的通光面積為5×5mm2
zui大驅動電壓Vmax≥1600V使現象更加清晰、完整。
xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀 可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程。
1875年克爾(kerr)發現了一個電光效應。即某些各向同性的透明介質在外電場作用下變為各向異性,表現出雙折射現象,介質具有單軸晶體的特性,并且其光軸在電場的方向上,人們稱這種光電效應為克爾效應。
1893年普克爾斯(pokells)發現,有些晶體,特別是壓電晶體,在加了外電場后,也能改變它們的各向異性性質,人們稱此種電光效應為泡克爾斯效應。泡克爾斯與克爾效應效應的區別在于:泡克爾斯效應是單軸晶體經強電場作用變成雙軸晶體,克爾效應是各向同性的物質經強電場作用變成各向異性的單軸晶體。
電光效應在工程技術和科學研究中有許多重要應用,它有很短的響應時間(可以跟上頻率為1010Hz的電場變化),因此被廣泛用于高速攝影中的快門,光速測量中的光束斬波器等。由于激光的出現,電光效應的應用和研究得到了迅速發展,如激光通信、激光測量、激光數據處理等。
晶體的電光效應
觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體后形成的干涉圖形,比較不同電壓條件下的差異,理解單軸晶體與雙軸晶體的區別。
xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀 觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態,理解泡克耳斯效應的作用機理。
測量半波電壓,確定Δn與E的線性關系,繪出光的調制曲線。
用正弦電信號對晶體進行調制,實現電信號的光傳輸,理解工作點對調制、傳輸過程的影響。
外加音頻信號,實驗音頻信號的光傳輸以重現,了解光通訊中信號外調制的原理和方法。
光學實驗導軌:800mm。
實驗主機zui大驅動電壓:Vmax≥1600V
半導體激光器:650nm, 4mW。
LN晶體附件:三維可調,通光面積:5*5mm2。
二維可調光電二管探頭:調整范圍:±2.5mm.
二維可調擴束鏡:25倍,調制范圍:±2.5mm.
激光功率指示計:三位半數字表頭,量程:200μW, 2mW, 20mW, 200mW,可調檔。zui小分辨率0.1u W。
北京百思佳特公司主營行業:儀器儀表/實驗設備/礦用設備/石油產品/教學儀器/醫療器械
如果您覺得“xt25525晶體的電光效應-泡克爾斯效應實驗儀”描述資料不夠齊全,請聯系我們獲取詳細資料。(聯系時請告訴我從給覽網看到的,我們將給您最大優惠!)
本頁鏈接:http://m.521uz.com/com_baisijiate/sell/itemid-7318178.html
已經有889位訪客查看了本頁.





